带你看懂MOS管的每一个参数_使你受益匪浅(雪崩擊穿電壓)

在栅源短接，漏-源额定电压(VDSS)是指漏-源未发生雪崩击穿前所能施加的最大电压。
根据温度的不同，实际雪崩击穿电压可能低于额定VDSS。
关于V(BR)DSS的详细描述请参见静电学特性。

二、VGS最大栅源电压:

VGS额定电压是栅源两极间可以施加的最大电压。
设定该额定电压的主要目的是防止电压过高导致的栅氧化层损伤。
实际栅氧化层可承受的电压远高于额定电压，但是会随制造工艺的不同而改变，因此保持VGS在额定电压以内可以保证应用的可靠性。

三、ID-连续漏电流:

ID定义为芯片在最大额定结温TJ(max)下，管表面温度在25℃或者更高温度下，可允许的最大连续直流电流。
该参数为结与管壳之间额定热阻RθJC和管壳温度的函数：

ID中并不包含开关损耗，并且实际使用时保持管表面温度在25℃（Tcase）也很难。
因此，硬开关应用中实际开关电流通常小于ID额定值 TC=25℃的一半，通常在1/3～1/4。
补充，如果采用热阻JA的话可以估算出特定温度下的ID，这个值更有现实意义。

嵌入式物联网需要学的东西真的非常多，千万不要学错了路线和内容，导致工资要不上去！

无偿分享大家一个资料包，差不多150多G。
里面学习内容、面经、项目都比较新也比较全！
某鱼上买估计至少要好几十。

点击这里找小助理0元领取：嵌入式物联网学习资料（头条）

四、IDM-脉冲漏极电流:

该参数反映了器件可以处理的脉冲电流的高低，脉冲电流要远高于连续的直流电流。
定义IDM的目的在于：线的欧姆区。
对于一定的栅-源电压，MOS管导通后，存在最大的漏极电流。
如图所示，对于给定的一个栅-源电压，如果工作点位于线性区域内，漏极电流的增大会提高漏-源电压，由此增大导通损耗。
长时间工作在大功率之下，将导致器件失效。
因此，在典型栅极驱动电压下，需要将额定IDM设定在区域之下。
区域的分界点在Vgs和曲线相交点。

因此需要设定电流密度上限，防止芯片温度过高而烧毁。
这本质上是为了防止过高电流流经封装引线，因为在某些情况下，整个芯片上最“薄弱的连接”不是芯片，而是封装引线。

考虑到热效应对于IDM的限制，温度的升高依赖于脉冲宽度，脉冲间的时间间隔，散热状况，RDS(on)以及脉冲电流的波形和幅度。
单纯满足脉冲电流不超出IDM上限并不能保证结温不超过最大允许值。
可以参考热性能与机械性能中关于瞬时热阻的讨论，来估计脉冲电流下结温的情况。

五、PD-容许沟道总功耗:

容许沟道总功耗标定了器件可以消散的最大功耗，可以表示为最大结温和管壳温度为25℃时热阻的函数。

六、TJ,TSTG-工作温度和存储环境温度的范围：

这两个参数标定了器件工作和存储环境所允许的结温区间。
设定这样的温度范围是为了满足器件最短工作寿命的要求。
如果确保器件工作在这个温度区间内，将极大地延长其工作寿命。

七、EAS-单脉冲雪崩击穿能量:

如果电压过冲值(通常由于漏电流和杂散电感造成)未超过击穿电压，则器件不会发生雪崩击穿，因此也就不需要消散雪崩击穿的能力。
雪崩击穿能量标定了器件可以容忍的瞬时过冲电压的安全值，其依赖于雪崩击穿需要消散的能量。

定义额定雪崩击穿能量的器件通常也会定义额定EAS。
额定雪崩击穿能量与额定UIS具有相似的意义。
EAS标定了器件可以安全吸收反向雪崩击穿能量的高低。

L是电感值，iD为电感上流过的电流峰值，其会突然转换为测量器件的漏极电流。
电感上产生的电压超过MOSFET击穿电压后，将导致雪崩击穿。
雪崩击穿发生时，即使MOS管处于关断状态，电感上的电流同样会流过MOSFET器件。
电感上所储存的能量与杂散电感上存储，由MOSFET消散的能量类似。

MOS管并联后，不同器件之间的击穿电压很难完全相同。
通常情况是：某个器件率先发生雪崩击穿，随后所有的雪崩击穿电流(能量)都从该器件流过。

八、EAR-重复雪崩能量:

重复雪崩能量已经成为“工业标准”，但是在没有设定频率，其它损耗以及冷却量的情况下，该参数没有任何意义。
散热(冷却)状况经常制约着重复雪崩能量。
对于雪崩击穿所产生的能量高低也很难预测。

额定EAR的真实意义在于标定了器件所能承受的反复雪崩击穿能量。
该定义的前提条件是：不对频率做任何限制，从而器件不会过热，这对于任何可能发生雪崩击穿的器件都是现实的。
在验证器件设计的过程中，最好可以测量处于工作状态的器件或者热沉的温度，来观察MOSFET器件是否存在过热情况，特别是对于可能发生雪崩击穿的器件。

九、IAR-雪崩击穿电流:

对于某些器件，雪崩击穿过程中芯片上电流集边的倾向要求对雪崩电流IAR进行限制。
这样，雪崩电流变成雪崩击穿能量规格的“精细阐述”；其揭示了器件真正的能力。

原文链接：https://mp.weixin.qq.com/s/cQr7DQjD83kLSOIeZfwO2Q

文章转载自：单片机爱好者

文章来源于：带你看懂MOS管的每一个参数，使你受益匪浅

原文链接：带你看懂MOS管的每一个参数，使你受益匪浅

版权声明：本文来源于网络，免费传达知识，版权归原作者所有，如涉及作品版权问题，请联系我进行删除