扬杰科技申请一种保护沟槽栅氧的SiCUMOSFET器件及制备方法专利_提高了器件的抗浪涌电流能力(金融界浪湧溝槽)
admin
2024-07-22
专利摘要显示,一种保护沟槽栅氧的SiC UMOSFET器件及制备方法,涉及半导体技术领域。本发明在SiC UMOSFET中形成了PN结二极管和肖特基二极管两种结构,使得SiC UMOSFET在续流过程中肖特基二极管打开,作为泄流路径,降低了续流损耗,而在通过大浪涌电流时,PN结二极管打开,作为另一泄流路径,提高……
专利摘要显示,一种保护沟槽栅氧的SiC UMOSFET器件及制备方法,涉及半导体技术领域。本发明在SiC UMOSFET中形成了PN结二极管和肖特基二极管两种结构,使得SiC UMOSFET在续流过程中肖特基二极管打开,作为泄流路径,降低了续流损耗,而在通过大浪涌电流时,PN结二极管打开,作为另一泄流路径,提高了器件的抗浪涌电流能力。并且本发明中沟槽区表面的P区也避免了肖特基二极管处产生较大的漏电流。
本文源自金融界
(图片来源网络,侵删)