扬杰科技申请一种保护沟槽栅氧的SiCUMOSFET器件及制备方法专利_提高了器件的抗浪涌电流能力(金融界浪湧溝槽)

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2024-07-22
专利摘要显示,一种保护沟槽栅氧的SiC UMOSFET器件及制备方法,涉及半导体技术领域。本发明在SiC UMOSFET中形成了PN结二极管和肖特基二极管两种结构,使得SiC UMOSFET在续流过程中肖特基二极管打开,作为泄流路径,降低了续流损耗,而在通过大浪涌电流时,PN结二极管打开,作为另一泄流路径,提高……

专利摘要显示,一种保护沟槽栅氧的SiC UMOSFET器件及制备方法,涉及半导体技术领域。
本发明在SiC UMOSFET中形成了PN结二极管和肖特基二极管两种结构,使得SiC UMOSFET在续流过程中肖特基二极管打开,作为泄流路径,降低了续流损耗,而在通过大浪涌电流时,PN结二极管打开,作为另一泄流路径,提高了器件的抗浪涌电流能力。
并且本发明中沟槽区表面的P区也避免了肖特基二极管处产生较大的漏电流。

本文源自金融界

扬杰科技申请一种保护沟槽栅氧的SiCUMOSFET器件及制备方法专利_提高了器件的抗浪涌电流能力(金融界浪湧溝槽)
(图片来源网络,侵删)
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