AlN

用于射频功率应用的氮化铝电阻元件(陶瓷電阻薄膜)

用于射频功率应用的氮化铝电阻元件(陶瓷電阻薄膜)

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2024-07-17
BeO/AlN陶瓷比较与BeO陶瓷相比,AlN在许多方面都很接近,由于应用的高功率性质,主要参数是导热性。表 1 列出了两种材料的特性。在电气学上,AlN 的介电常数高于 BeO,这导致电容部分略高。必须采用谨慎的布局和薄膜设计来减轻这种差异。应用AlN 电阻器和端子被设计为当今使用的现有 BeO 产品的直接替……...
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